檢索結果：共2筆資料 檢索策略： "Chin-Hsien Wu".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="三階儲存單元"
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由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，主要原因是快閃記憶體單元中的寫穿(wear-out)現象，受到該現象的影響下，…
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由於快閃記憶體具有有限的編程/抹除次數(P/E cycles)限制，通常在超過該上限次數後，逐漸不堪使用，而其核心原因來自於快閃記憶體單元內的寫穿(wear-out)現象，在此現象的影響下，任何資料…